Nou 德國 PVA Tepla- 等離子清洗系統

PVA是歷史悠久的德國高科技上市公司,在等離子體、真空系統、晶體生長等領域佔據世界領先地位;PVA TePla是PVA的一個部門,專業製造等離子清洗機,廣泛應用於電子,塑料,橡膠,玻璃等各種材料清洗及表面處理。作爲生產等離子體處理設備的專家,PVA TePla可爲半導體行業提供等離子體清洗設備和服務

 

獨有的微波等離子(化學)清洗方式

有別於傳統射頻等離子(物理)清洗方式,微波等離子清洗可清洗樣品的每個部位,實現清洗過程的自由基不會被障礙物所阻擋,並不會改變表面粗糙度。 隨着封裝技術進步,在倒裝和疊晶片等封裝中,射頻等離子清洗並不能達到工藝要求,微波等離子清洗的特點和優勢獲更多用戶選擇PVA TePla。

等離子清洗在倒裝芯片封裝技術已成爲提高產量的必須過程。先進的倒裝芯片設備在業界獲得顯著性,在穿透分鐘差距的模具下,微波等離子體過程是無與倫比的。根據不同模具的體積,所有表面均可被完全激活和控調。PVA TePla 的微波等離子體一向可執行,無空隙的倒裝芯片底部填充膠,最佳的附着力和顯著增強的吸溼排汗速度。適合程度的應用遠遠超出了芯片尺寸20x20mm和50μm以下的bumps。

 

陣列微波等離子系統

 

GIGA 690 箱體式

微波等離子清洗可以清洗到樣品的每一個部位,實現清洗過程的自由基不會被障礙物所阻擋,並且不會改變表面的粗糙度提高良率和可靠性:
• 芯片鍵合
• 引線鍵合
• 封裝
• 倒裝芯片充膠
• 焊錫球鍵合
 

概述:
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊;
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源,均勻性;
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用;
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup,且使用機械標準接口SMIF 
• 主要氣體爲氧。在真空腔室中受高頻及微波能量作用,電離產生氧離子、遊離態氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體,其中具有強氧化能力的遊離態氧原子在高頻電壓作用下與光刻膠膜反應生成CO2和H2O,生成的CO2和H2O隨即被抽走。

 

技術參數:
• 工藝腔體爲鋁 • 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測,光電發射,等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器,17寸彩色觸屏屏幕,圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺,程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼,多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控,屏幕顯示圖表,數據記錄,工藝數據導出,接口     以太網,USB, RS23接口
• 晶圓產量:35-80片/小時,視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃ 

 

80 Plus 在線式

對比與其他框架和基板片式處理等離子系統,該設備是世界上唯一一個單腔體支持片尺寸轉換,運輸和處理並提升了3倍UPH的設備。該系統針對大批量的芯片製造商在引線鍵合前塑封前、倒裝片底部填充前等應用中提升收率和可靠性。

產量方面的業界新標準:
• 高效率
• 支持 100x300mm 框架
• 最高UPH達到900 strips/Hr提高良率和可靠性:
 
概述:
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊;
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源,均勻性;
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用;
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup且使用機械標準接口SMIF;

技術參數:
• 工藝腔體爲鋁
• 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測,光電發射,等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器,17寸彩色觸屏屏幕,圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺,程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼,多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控,屏幕顯示圖表,數據記錄,工藝數據導出,接口以    太網,USB, RS232接口
• 晶圓產量:35-80片/小時,視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃

 

 

 

 

PVA TePla等離子清洗系統在半導體的應用

Ø  射频等离子在IC封装的应用

Ø  微波等离子在倒装芯片(Flip chip)的工艺应用

Ø  Wire Bond / Die Bond 前的等離子體清潔

在芯片封裝中,等離子體清潔對於在Wire Bond / Die Bond 之前提高粘結墊的清潔度至關重要。表面等離子體清潔極大地增強了球剪切和拉針強度。理想情況下,在拉力測試期間,當中間跨度斷裂時,Wire Bond應保持焊接在粘結墊上。PVA TePla獨特的微波等離子體以無與倫比的吞吐量有效地去除粘結墊上的有機污染物和薄氧化物層。微波等離子處理通過應用我們經過驗證且具有成本效益的系統,可以進行量身定製的表面清潔和調理。

Ø  等離子體光刻膠灰化

蝕刻和離子注入後的等離子光刻電阻是半導體制造中最重要和最常執行的步驟之一。光刻週期的次數通常從10到25不等。每週期都需一個光刻膠剝離過程。等離子光刻膠片剝離面膜是一種乾燥、環保的工藝,稱爲等離子灰化,正在快速取代溼剝離/溼蝕刻技術。PVA TePla是使用微波或射頻激發的等離子灰化系統的市場領導者。我們提供單晶圓和批量灰。

微波等離子體是現代設備製造中大多數抗去除的理想選擇,因爲它產生非常高濃度的化學活性物質以及低離子轟擊能量,保證了快速的灰分率和無損傷的等離子體清潔。微波等離子體系統適用於各種基材技術,如Si、III/V化合物、石英、陶瓷、鎘酸鋰、銅互連器件等。固有的各向同性等離子體蝕刻特性是MEMS製造中犧牲層蝕刻和去除SU-8的優勢。

服務的典型設備市場是:
• 混合信號設備,CMOS,雙極    • 電源設備
• 高亮度LED                                 • MEMS,SAW設備
• 平板顯示器(PLED)                • III/V複合材料
• 納米印記光刻,衝壓機乾淨        • SiC-晶圓
 

 

 

RF 射頻等離子清洗/鍍膜系統

 
ION 40 氣體等離子清洗系統  
全功能的等離子表面處理!
• 臺式設計,靈活的電極設計,改進工藝的一致性
• 工業應用計算機配Windows®系統
• GUI 圖形用戶界面與大觸屏軟件寫入Semi E95-1101和第二部分的 FDA              CFR,#21 • 配驅動程式
• 自行診斷功能和圖形
• Ethernet 以太網通信
• 節能控制功能
• 備用氣體選擇
• 安裝容易,即插即用

 

ION 300 氣體等離子清洗系統
迎合高產量需求!
• 配置室可容納大批量組件處理或獨特的懸掛式導管加工各種電極      配
• GUI 圖形用戶界面軟件符合 CFR 第21部分11和 Semi E95-1101
• 板載氣體發生器封裝選項
• 工業應用計算機配Windows®系統
• 用戶可單獨操作程序進程和維護
• 配置過程可準確控制 Lot-to-Lot. 重複性
• 通過Ethernet控制數據及進行監控
• 具即時診斷功能和警報記錄
• LCD 液晶顯示器,觸屏和鍵盤

 

ION 100 氣體等離子清洗系統
爲各種應用設計的靈活氣腔體!
• 靈活的快速更換電極和腔體的選擇
• 板載氣體發生器封裝選項
• 節能控制功能,擁有成本最低
• 配置室可容納各種電極結構的小型複雜三維零件或高容量的大型零件加工
• GUI 圖形用戶界面軟件符合CFR第21部分11和Semi E95-1101
• 配方驅動的過程
• Ethernet 以太網通信
• 自行診斷功能和圖形
• LCD 液晶顯示器,觸摸屏和鍵盤

 
   IoN 100T Tumbler Plasma Systems

 

 

IoN Optimus 100

 

 

 

德國 PVA Tepla- 等離子清洗系統

  • 品 牌 PVA Tepla
  • 型 號 PVA TePla, Germany - Microwave Plasma Cleaning Systems
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