商品描述

美國Microchem公司於2019年8月底正式更名為Kayaku Advanced Materials, Inc.。 Kayaku AM的SU-8 光阻是一種負膠，適合 i 線，X-Ray，E-beam曝光。具有非常好的熱穩定性、抗蝕刻性、高解析度、高深寬等特性。對近紫外線350~400nm波段曝光最為敏感。即使在非常厚的光阻曝光情況下，曝光均勻一致，可以獲得垂直邊壁。
日本化藥(Nippon Kayaku)擁有近百年歷史，是環氧樹脂產業的領導者。側壁陡直，機械性，絕緣性及耐溫性能等SU-8無可比擬的優點，也正是得益於日本化藥的支持。 2008年起，Microchem併入日本化藥旗下，並與日本化藥共同開發出KMPR以及SU-8 3000系列等新產品。

環氧樹脂型永久光阻

SU-8 3000 系列 - 永久性高深寬比負膠

• 厚度範圍，單一塗佈厚度可涵蓋 0.5~200 μm
• 高深寬比：>5:1
• 降低極性溶劑含量以減小表面張力
• 表面活性成分，改善塗覆效果
• 多用於MEMS, RDL, 包覆層等應用
• 高耐熱性(<250°C)
• 高耐化性(硬烤後)
• 用於光電器件，MEMS晶片製作，以及作為晶片絕緣、保護層使用
• 常應用於光電元件, MEMS, microLED

相关溶液:
稀释剂: SU-8 Thinner
显影液: SU-8 Developer
去胶剂: Remover PG
增附剂: OmniCoat

SU-8 TF 6000 - 高分辨率的薄负胶

材质属性：
• 光成像薄膜(0.5 - 10µm)的高解析图形能力
• 宽感光带(I，G和H线)
• 低温固化( < 150°C)，光热或热固化
• 改进的涂层质量
• 良好的附着力刚性和柔性基底

KMPR^® 1000 系列 - 暫時/永久性高深寬比負膠

KMPR用作DRIE蝕刻遮罩實現高寬比的圖案。它也被廣泛用作MEMS與生物裝置的電鍍模具。因KMPR減少了Cross-link密度，在Hard baked 前，KMPR比較SU-8容易剝離。 KMPR負膠可在任何(PGMEA)，或(TMAH)的顯影劑中顯影。

•高深寬比成像(>5:1)和垂直側壁
•單一旋塗可涵蓋5-100微米
•優異的金屬黏附性
•優異的電鍍鍍液穩定性

相關溶液:
顯影液: TMAH
去膠劑: Remover PG

PermiNex^® - 晶圓鍵合黏合劑

PermiNex^® 1000 - 有機溶劑顯影
PermiNex^® 2000 - 水溶性鹼顯影液顯影

相關溶液:
PermiNex 1000顯影液: PN 1000 Developer
PermiNex 2000顯影液: Aqueous Based,
TMAH Developer
Edge Bead Removal: EBR PG

PermiNex® 1000和2000系列光阻是一種可用UV光圖形化
之永久性黏合材料，可用於製作腔體結構。例如需精密對準
與低溫製程的BAW/SAW/CIS之封裝與微流道應用。

材料特性：
• 非氣密型永久晶圓黏著劑
• 負型光阻
• 低金屬腐蝕
• 深寬比達3:1
• 低溫製程(< 200°C)
• 高品質，無孔洞的黏著
• 與玻璃，Si都有絕佳的附著力
• 可與後續製程良好搭配(切割，焊接等)及高可靠性(HAST, TST)

聚合物型永久光阻

KMSF^TM 1000 低應力介電光阻

材料特性：
• 永久型負膠
• 低溫固化(≤175°C)
• 低殘餘應力與超低翹曲
• 高失效伸長率和中等抗拉強度
• 高耐化性及耐熱性
• 固化收縮率低,熱穩定性好
• 對Si,SiO2,SiN,Cu和PI具有良好的附著力
• 應用:應力緩衝,鈍化及保護,RDL

使用KMSF后未观察到晶圆翘曲

KMSF^TM 2000 低Dk/Df光刻介電光材料

材料特性：
• 永久型負膠
• 低溫固化(≤200°C)
• 固化後薄膜厚度5-10 μm
• PGMEA中的溶劑開發
• 良好的熱及化學穩定性
• 可替代PI膜
• 應用:晶圓級封裝

臨時 Lift Off 光阻

PMGI與LOR-雙層Lift-off光阻

• 高解析率(< 0.25微米) Lift-off工藝
• 適用厚(> 3μm) 的金屬沉積
• 對Si，GaAs，GaN等常見基底有良好的黏附力
• 高耐熱性(<300°C)
• 易於剝離，即使透過高熱過程也不影響剝離性
• 常應用於三五族金屬製程, microLED等應用

LOR 系列

• 可完整填滿高深寬比(> 1:5)之孔洞/溝渠且無氣泡問題
• 可藉由高熱reflow來達到表面平坦效果
• 對Si，GaAs，GaN等常見基底有良好的黏附力
• 高耐熱性 (<300°C)
• 易於剝離，即使透過高熱過程也不影響剝離性

UniLOR® N單層Lift-off專用光阻

• 單層lift-off過程用負膠
• 可調的圖形輪廓
• 圖案熱穩定性達200℃
• 適用金屬蒸鍍製程

• 膜厚1um-5um
• 水溶性鹼顯影液顯影(0.26N TMAH)
• 去膠乾淨
• 高附著性

相關溶液:
洗邊劑: EBR PG
顯影液: TMAH
去膠劑: Remover PG

電子束正型光阻

PMMA & Copolymer (MMA (8.5) MAA)

PMMA (Polymethacrylate) 是一種非常適合許多成像和非成像微電子
應用程式的聚合物材料。用於電子束製程曝光，如T-gate製造，暫存晶片
接合製程如晶圓減薄，用作保護層和臨時黏合劑。
PMMA光阻是PMMA聚合物溶解在特定的溶劑中形成特定分子量的材
料，如苯甲醚(安全溶劑)然後過濾。使用傳統曝光，直寫式曝光或X-射線
曝光使聚合物斷鍊，從而在光阻的曝光和未曝光區域間產生溶解度差
異，實現非常高解析度的圖形。

• 非常適合電子束微影和X射線曝光
• 高解析度：< 0.1μm
• 廣範圍分子量與黏度選擇
• 應用包含電子束微影，多層T-Gate剝離，晶圓減薄等

Copolymer光阻是MMA和8.5％甲基丙烯酸的混合物。
Copolymer(8.5) MAA且PMMA光阻堆疊，常用在雙
層剝離製程實現獨立CD控制。被配置在乳酸乙酯的標準
Copolymer光阻，可提供寬範圍的黏度(薄膜厚度)。

相關溶液:
稀釋劑: A Thinner, C Thinner
洗邊劑: EBR PG
顯影液: MIBK, MIBK:IPA 1:1
MIBK:IPA 1:2 MIBK:IPA 1:3
去膠劑: Remover PG